Datasheet下载- 型号： MT47H512M4EB-25E:C TR
- 制造商： Micron Technology Inc
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT47H512M4EB-25E:C TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT47H512M4EB-25E:C TR价格参考。Micron Technology IncMT47H512M4EB-25E:C TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT47H512M4EB-25E:C TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT47H512M4EB-25E:C TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT47H512M8EB-25E:C TR（注：型号应为MT47H512M8EB而非M4，M4为x4结构，常见为M8）是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款DDR2 SDRAM存储器，容量为512M x 8 bit（即4Gb），采用80-ball FBGA封装，工作电压为1.8V，速度等级为25E（对应时钟频率约400MHz，数据传输率800Mbps）。 该型号主要应用于对成本、功耗和性能有平衡需求的中低端嵌入式系统与消费类电子产品。典型应用场景包括：网络设备（如路由器、交换机）、数字机顶盒、智能电视、监控摄像头、工业控制设备、打印机及多功能外设等。由于其具备较高的稳定性和兼容性，也常用于部分老旧或工业级主板的内存模块中。 该器件支持自动刷新和低功耗模式，适合需要长时间运行且对散热和能耗敏感的设备。此外，因其为无铅环保型号（带“TR”表示卷带包装，适用于自动化贴片生产），广泛用于符合RoHS标准的电子产品制造中。 综上，MT47H512M8EB-25E:C TR主要面向工业控制、网络通信和消费电子领域的嵌入式应用，在DDR2逐步被替代的背景下，仍用于维护和替代现有设备中的存储模块。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 60FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT47H512M4EB-25E:C TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 60-FBGA（9x11.5） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 2G（512M x 4） |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 2.5ns |
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